原始标题：[看！我们的前卫技术]材料通过新的进步引导它。当使用手机观看视频并使用计算机处理复杂的数据时，您可能不会认为这些设备接收的快速动作芯片面临“增长问题”。芯片的中心材料是芯片的中心材料，在芯片尺寸继续向纳米级收缩后，开始发现改善性能的物理局限性。最近，他出版了刘凯海（Liu Kaihui），Qiu Chenguang和Jiang Jianfeng的调查。高速和低消耗道路。 “每天使用的电子设备的性能取决于芯片中电子的'执行速度'的大量测量。在材料中执行，数据处理变得越灵活。这种“可能性”逐渐达到了顶峰。 “刘凯海（Liu Kaihui）告诉记者。 因此，世界各地的科学家都在努力寻找更好的“玩家”，两种维度的材料由于其原子层的独特结构而进入了视野。 Qiu Chenguang说，晶体管通道的较薄，开关效率越大，水管越近，阀门就越容易用阀门关闭，从而导致能量消耗较低。超薄原子鉴定原子膜是其中最好的。从理论上讲，电子的“工作速度”比硅的“工作速度”高几倍，但消耗能量较少，被认为是超过基于硅电子的潜在玩家。但是，先前的硒化材料是在实验室中“手动拉伸”的小薄片。大型应用需要能够生产大面积的能力高质量的印度硒。这一直是影响科学界的困难问题。 为什么要制作高质量的印度硒晶片很难？ “这始于材料的'诱惑'。刘解释说，印度硒化是由两个元素组成的：印度和硒及其“特征”截然不同。硒倾向于在高温下“逃脱”（高蒸气压），但印度人相对稳定。 “质量并影响性能。对于设计，对于“运行”电子而言，更困难。 为了解决这些问题，研究人员提出了“固体固体”的智能策略。首先，他们制作了一部“混乱”的无定形硒化膜，然后是一种特殊的密封环境。该膜用液体印度密封，在高温下形成“富含印度印度的液体界面”。这就像在不愉快的房间里问分类器一样。在此界面中，印度和硒原子进行了重组，最后是FORM纯净，干净，有序的结晶结构。 通过这种方法，团队成功地准备了直径约5厘米的印度硒化晶片。更令人兴奋的是“外观”和这种晶圆的“力量”的共存。表面比原始表面高10倍以上，原子处理完美地达到了“独特的晶体”水平。您可以“没有问题”。 “使用良好的材料将迅速为测试产生晶体管。”刘凯海（Liu Kaihui）提出了令人惊讶的结果。这些晶体管基于印度硒的晶体管的电子（移动性）的“种族速度”远远超出了现有的两个维度材料设备的范围。更重要的是，切换特性。就像一个灯开关一样，良好的晶体管应该能够“打开光线”（关闭灯）（隔离）（隔离）并快速“关闭电源”。 该团队还确认了高级节点印度人的表现有限Elenide晶体管。 “我们制造了10纳米印第安人的纳拉拉多拉固有的印度晶体管固有切换速度，这是基于硅的现有3纳米技术的三倍，而量级的命令也提高了能源效率。 在刘凯海（Liu Kaihui）的看来，这项研究的重要性不仅在材料本身中。就像我们将“手店”更新为“自动工厂”一样，我们已经在大型和高质量的印度人上实现了印度印度晶圆的第一次可控制备，就好像我们拥有大型生产的基础一样。 “将来，基于此材料的芯片可能会导致电子设备的质量变化。手机的电池寿命将大大扩展，计算机将在更高的水平上运行，并且人工智能训练的效率将更大……印度硒预计将在边境和Quantum C柔性电子和Quantum c cy clexible Chore中起重要作用。委托。”（Jinhao chian记者） （编辑：lib fang，li yihuan） 分享以向更多人展示